会员登录|免费注册|忘记密码|管理入口 主站首页||保存桌面|手机浏览|联系方式|购物车
企业会员第1年

基本半导体有限公司  
加关注0

深圳基本半导体有限公司|SiC碳化硅|SiC碳化硅模块|SiC碳化硅功率器件|SiC碳化硅肖特基二极管|SiC碳化硅MOSFET|basicsemi|第三代半导体|基本半导体|碳化矽|碳化矽功率元件|碳化矽肖特基二極體|碳化矽MOSFE|第三代半導體|基本半導體|BASiC Semiconductor|SiC|SiC power devices|SiC schottky diode|SiC MOSFET
搜索
新闻分类
  • 暂无分类
联系方式


请先 登录 或 注册 后查看


站内搜索
 
友情链接
  • 暂无链接
首页 > 公司新闻 > SiC碳化硅二极管 SiC MOSFET
公司新闻
SiC碳化硅二极管 SiC MOSFET
2021-10-16IP属地 火星10
 
 
 
碳化硅MOSFET
产品详情
 
 
 

 

碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。

新一代采用辅助源极连接方式的碳化硅 MOSFET（TO-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现。

MOS.jpg

碳化硅MOSFET

Product

VDS

（V）

 ID

(A)

 RDS(on)

(mΩ)

Qg

(nC)

 

Eon

(µJ)

 

Eoff

(µJ)

 Package Name

 
B1M160120HC 1200 20 160 60 63 72 TO-247-3 样品申请
B1M080120HC 1200 44 80 149 254

180

 TO-247-3

样品申请
B1M080120HK 1200 44 80 149 163 77 TO-247-4 样品申请
B1M032120HC 1200 84 32 314 1215

463

 TO-247-3

样品申请
B1M018120HC 1200 114 18 636 1350 7320 TO-247-3 样品申请